基本信息
| 标准名称： | 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 |
| 英文名称： | Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2009-10-30 |
| 实施日期： | 2010-06-01 |
| 首发日期： | 2009-10-30 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 提出单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 起草人： | 章安辉、黄庆涛、何秀坤 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2010-06-01 |
| 页数： | 12页 |
| 计划单号： | 20070860-T-469 |
适用范围
本标准规定了用高分辨X 射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。
本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用
本方法测量Al元素含量时,AlGaAs外延层厚度应大于300nm。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料